SK하이닉스, 메모리 업계 최초 양산용 첨단 노광 장비 도입

SK하이닉스는 3일 메모리 업계 최초로 양산용 ‘High NA EUV’ 장비를 이천 M16팹에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 밝혔다.

High NA EUV는 기존 EUV 보다 더 큰 NA(개구수)를 적용해 해상도를 향상시킨 차세대 노광 장비다. 개구수는 렌즈가 빛을 얼마나 많이 모을 수 있는지 나타내는 수치다.

행사는 이천캠퍼스에서 열렸다. 김병찬 ASML코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장 CTO 부사장, 이병기 제조기술 담당 부사장 등이 참석했다.

SK하이닉스 관계자는 “치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다”며 “파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화하겠다”고 강조했다.

앞서 SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대 D램에 EUV를 처음 도입했다. 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대했다.

이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’다. High NA EUV 최초 양산용 모델이다. 기존 EUV 대비 40% 향상된 광학 기술로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하다. 집적도는 2.9배 높게 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 이번 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 확보한다는 방침이다. 이를 통해 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 공고히 할 것으로 기대 중이다.

김병찬 ASML코리아 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다”고 말했다.

차선용 SK하이닉스 CTO는 “이번 장비 도입으로 회사가 추진중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 답했다.