성균관대 박진홍 교수, MIT·삼성종합기술원과 1나노급 단결정 2D 반도체 채널 3D C-FET 기술 개발
성균관대학교(총장 유지범) 박진홍 교수 연구팀은 MIT의 김지환 교수팀, 삼성종합기술원(SAIT)의 김상원·설민수 박사 연구팀과 함께 10옹스트롬(1나노미터) 이하 기술 노드에 고려되고 있는 단결정 2D 반도체* 채널 기반 3D C-FET** 반도체 소자 기술을 개발했다고 23일 밝혔다. 이번 연구는 기존 2D 평면 반도체의 집적도 한계를 저온 집적 공정을 통해 극복한 3D C-FET 반도체 소자 기
조경만 기자 2024-12-23 15:29:39
