SK하이닉스, 세계 최초 HBM3E 12단 신제품 양산 시작

SK하이닉스는 HBM 최대 용량인 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 올린 제품이다. HBM3E는 5세대 제품으로 HBM3의 확장 버전이다.

기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다. SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품을 3월에 납품했다. HBM3E 12단은 연내에 SK하이닉스 고객사에 공급할 예정이다.

SK하이닉스는 이번 신제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. HBM3E 12단 제품 4개를 탑재한 단일 GPU로 거대언어모델인 ‘라마 3 70B’를 구동하면 700억개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있다.

3GB D램 칩 12개는 기존 8단 제품과 동일한 두께로 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이에 D램 단품 칩은 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV 기술을 통해 수직으로 쌓았다. TSV는 D램 칩에 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 기술이다.

SK하이닉스 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정도 제품에 적용해 방열 성능을 전 세대 대비 10% 높였다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다.

김주선 SK하이닉스 사장은 “다시 한 번 기술 한계를 돌파하며 시대를 선도하는 독보적인 AI 메모리 리더로서의 면모를 입증했다”며 “앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 글로벌 1위 AI 메모리 프로바이더로서의 위상을 이어가겠다”고 말했다.